LiAlO2 Substrate

Ang LiAlO2 substrate ay tumutukoy sa isang substrate na gawa sa lithium aluminum oxide (LiAlO2).Ang LiAlO2 ay isang crystalline compound na kabilang sa space group na R3m at may tatsulok na kristal na istraktura.

Ang mga substrate ng LiAlO2 ay ginamit sa iba't ibang mga aplikasyon, kabilang ang paglaki ng manipis na pelikula, mga epitaxial layer, at heterostructure para sa mga electronic, optoelectronic, at photonic na aparato.Dahil sa mahusay na pisikal at kemikal na mga katangian nito, ito ay lalong angkop para sa pagbuo ng malawak na bandgap na mga aparatong semiconductor.

Ang isa sa mga pangunahing aplikasyon ng mga substrate ng LiAlO2 ay nasa larangan ng mga aparatong batay sa Gallium Nitride (GaN) tulad ng High Electron Mobility Transistors (HEMTs) at Light Emitting Diodes (LEDs).Ang lattice mismatch sa pagitan ng LiAlO2 at GaN ay medyo maliit, na ginagawa itong angkop na substrate para sa epitaxial growth ng GaN thin films.Ang LiAlO2 substrate ay nagbibigay ng mataas na kalidad na template para sa GaN deposition, na nagreresulta sa pinahusay na pagganap at pagiging maaasahan ng device.

Ginagamit din ang mga substrate ng LiAlO2 sa iba pang larangan tulad ng paglago ng mga ferroelectric na materyales para sa mga memory device, ang pagbuo ng mga piezoelectric device, at ang paggawa ng mga solid-state na baterya.Ang kanilang mga natatanging katangian, tulad ng mataas na thermal conductivity, magandang mechanical stability, at mababang dielectric constant, ay nagbibigay sa kanila ng mga pakinabang sa mga application na ito.

Sa buod, ang LiAlO2 substrate ay tumutukoy sa isang substrate na gawa sa lithium aluminum oxide.Ang mga substrate ng LiAlO2 ay ginagamit sa iba't ibang mga aplikasyon, lalo na para sa paglago ng GaN-based na mga aparato, at ang pagbuo ng iba pang mga electronic, optoelectronic at photonic na aparato.Ang mga ito ay nagtataglay ng kanais-nais na pisikal at kemikal na mga katangian na ginagawang angkop ang mga ito para sa pagtitiwalag ng mga manipis na pelikula at heterostructure at mapahusay ang pagganap ng device.