GAGG:Ce Scintillator, GAGG Crystal, GAGG Scintillation Crystal
Advantage
● Magandang lakas ng paghinto
● Mataas na liwanag
● Mababang pag-ilaw
● Mabilis na oras ng pagkabulok
Aplikasyon
● Gamma camera
● PET, PEM, SPECT, CT
● X-ray at Gamma ray detection
● High energy container inspection
Ari-arian
| Uri | GAGG-HL | Balanse ng GAGG | GAGG-FD |
| Sistema ng Crystal | Kubiko | Kubiko | Kubiko |
| Densidad（g/cm3） | 6.6 | 6.6 | 6.6 |
| Light Yield (photon/kev) | 60 | 50 | 30 |
| Oras ng Pagkabulok | ≤150 | ≤90 | ≤48 |
| Center Wavelength（nm） | 530 | 530 | 530 |
| Punto ng Pagkatunaw (℃) | 2105 ℃ | 2105 ℃ | 2105 ℃ |
| Atomic Coefficient | 54 | 54 | 54 |
| Resolusyon ng Enerhiya | <5% | ＜6% | ＜7% |
| Self-Radiation | No | No | No |
| Hygroscopic | No | No | No |
Paglalarawan ng Produkto
GAGG:Ce (Gd3Al2Ga3O12) gadolinium aluminum gallium garnet doped na may cerium.Ito ay isang bagong scintillator para sa single photon emission computed tomography (SPECT), gamma-ray at Compton electron detection.Ang Cerium doped GAGG:Ce ay may maraming katangian na ginagawang angkop para sa gamma spectroscopy at mga medikal na imaging application.Ang mataas na photon yield at emission peak sa paligid ng 530 nm ay ginagawang angkop ang materyal na basahin ng mga Silicon Photo-multiplier detector.Ang epic na kristal ay bumuo ng 3 uri ng GAGG:Ce crystal, na may mas mabilis na oras ng pagkabulok(GAGG-FD) na kristal, tipikal na(GAGG-Balance) na kristal, mas mataas na light output(GAGG-HL) na kristal, para sa customer sa iba't ibang larangan.Ang GAGG:Ce ay isang napaka-promising na scintillator sa mataas na enerhiya na pang-industriya na larangan, kapag ito ay nailalarawan sa pagsubok sa buhay sa ilalim ng 115kv, 3mA at ang pinagmulan ng radiation na matatagpuan sa layo na 150 mm mula sa kristal, pagkatapos ng 20 oras ang pagganap ay halos kapareho ng sariwa. isa.Nangangahulugan ito na mayroon itong magandang prospect na makatiis ng mataas na dosis sa ilalim ng X-ray irradiation, siyempre depende ito sa mga kondisyon ng irradiation at sa kaso ng pagpunta pa sa GAGG para sa NDT ay kailangang magsagawa ng karagdagang eksaktong pagsubok.Sa tabi ng solong GAGG:Ce crystal, nagagawa namin ito sa linear at 2 dimensional array, ang laki ng pixel at separator ay maaaring makamit batay sa kinakailangan.Nabuo din namin ang teknolohiya para sa ceramic na GAGG:Ce, mayroon itong mas mahusay na coincidence resolving time(CRT), mas mabilis na oras ng pagkabulok at mas mataas na light output.
Resolusyon ng enerhiya: GAGG Dia2”x2”, 8.2% Cs137@662Kev
Pagganap ng afterglow
Banayad na pagganap ng output
Resolusyon sa Timing: Gagg Mabilis na Oras ng Pagkabulok
(a) Resolusyon sa timing: CRT=193ps (FWHM, window ng enerhiya: [440keV 550keV])
(a) Resolusyon sa timing vs.bias na boltahe: (energy window: [440keV 550keV])
Pakitandaan na ang peak emission ng GAGG ay 520nm habang ang mga SiPM sensor ay idinisenyo para sa mga kristal na may 420nm peak emission.Ang PDE para sa 520nm ay 30% na mas mababa kumpara sa PDE para sa 420nm.Ang CRT ng GAGG ay maaaring pahusayin mula 193ps (FWHM) hanggang 161.5ps (FWHM) kung ang PDE ng mga SiPM sensor para sa 520nm ay tutugma sa PDE para sa 420nm.
